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Technische Details IXTT16N20D2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTT16N20D2 - MOSFET, N-CH, 200V, 16A, TO-268, tariffCode: 85364900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 695W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Weitere Produktangebote IXTT16N20D2
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IXTT16N20D2 | Hersteller : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXTT16N20D2 - MOSFET, N-CH, 200V, 16A, TO-268tariffCode: 85364900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 695W Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
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IXTT16N20D2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTT16N20D2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
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IXTT16N20D2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
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| IXTT16N20D2 | Hersteller : IXYS |
IXTT16N20D2 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTT16N20D2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 0V Power Dissipation (Max): 695W (Tc) Supplier Device Package: TO-268AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V |
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