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IXTT8P50

IXTT8P50 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E9CDAEE7EB8BF&compId=IXT_8P50.pdf?ci_sign=d6b8da636dc8394c03e72a7f3dcbe95461b9557a Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -8A; 180W; TO268; 400ns
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO268
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -8A
Reverse recovery time: 400ns
Gate charge: 130nC
On-state resistance: 1.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+10 EUR
9+8.82 EUR
10+7.92 EUR
30+7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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Technische Details IXTT8P50 IXYS

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -8A; 180W; TO268; 400ns, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET, Case: TO268, Kind of package: tube, Drain-source voltage: -500V, Drain current: -8A, Reverse recovery time: 400ns, Gate charge: 130nC, On-state resistance: 1.2Ω, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 180W, Polarisation: unipolar, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTT8P50 IXTT8P50 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E9CDAEE7EB8BF&compId=IXT_8P50.pdf?ci_sign=d6b8da636dc8394c03e72a7f3dcbe95461b9557a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -8A; 180W; TO268; 400ns
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO268
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -8A
Reverse recovery time: 400ns
Gate charge: 130nC
On-state resistance: 1.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
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IXTT8P50 IXTT8P50 Hersteller : Littelfuse littelfuse-discrete-mosfets-p-channel-ixt-8p50-datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH Si 500V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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