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Technische Details IXTX120N65X2 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 505ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 120A, Power dissipation: 1.25kW, Case: PLUS247™, On-state resistance: 23mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 230nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 505ns, Features of semiconductor devices: ultra junction x-class.
Weitere Produktangebote IXTX120N65X2 nach Preis ab 31.83 EUR bis 55.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IXTX120N65X2 | IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3 |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTX120N65X2 |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3
Description: MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 55.2 EUR |
| 30+ | 35.7 EUR |
| 60+ | 33.39 EUR |
| 120+ | 31.83 EUR |