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Technische Details IXTX120N65X2 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 505ns, Reverse recovery time: 505ns, Mounting: THT, Power dissipation: 1.25kW, Gate charge: 230nC, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: ultra junction x-class, Drain current: 120A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 650V, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: tube, Case: PLUS247™, On-state resistance: 23mΩ.
Weitere Produktangebote IXTX120N65X2 nach Preis ab 30.7 EUR bis 53.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IXTX120N65X2 | IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3 |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTX120N65X2 |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3
Description: MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 53.24 EUR |
| 30+ | 34.43 EUR |
| 60+ | 32.2 EUR |
| 120+ | 30.7 EUR |