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IXTY08N100P-TRL

IXTY08N100P-TRL IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100p-datasheet?assetguid=c03e6d51-d539-4f4a-ad31-08df60c8fd6a
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
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Technische Details IXTY08N100P-TRL IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 42W; DPAK,TO252AA; 750ns, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 0.8A, Power dissipation: 42W, Case: DPAK; TO252AA, On-state resistance: 20Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 11.3nC, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 750ns, Gate-source voltage: 20V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTY08N100P-TRL IXTY08N100P-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_08N100P_Datasheet.PDF MOSFET Modules IXTY08N100P TRL
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IXTY08N100P-TRL IXTY08N100P-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100p-datasheet?assetguid=c03e6d51-d539-4f4a-ad31-08df60c8fd6a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 42W; DPAK,TO252AA; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 750ns
Gate-source voltage: 20V
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MOSFET Modules IXTY08N100P TRL
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Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 42W; DPAK,TO252AA; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
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Gate charge: 11.3nC
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