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Technische Details IXTY1N100P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO252; 750ns, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Type of transistor: N-MOSFET, Case: TO252, On-state resistance: 15Ω, Reverse recovery time: 750ns, Power dissipation: 50W, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Drain current: 1A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1kV.
Weitere Produktangebote IXTY1N100P
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXTY1N100P | IXYS |
 MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 70 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXTY1N100P | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO252; 750ns Mounting: SMD Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Case: TO252 On-state resistance: 15Ω Reverse recovery time: 750ns Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: standard power mosfet Drain current: 1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1kV |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXTY1N100P |
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Hersteller: IXYS
MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds
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| IXTY1N100P |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO252; 750ns
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
On-state resistance: 15Ω
Reverse recovery time: 750ns
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO252; 750ns
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
On-state resistance: 15Ω
Reverse recovery time: 750ns
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
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