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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.53 EUR |
| 10+ | 5.49 EUR |
| 25+ | 5.17 EUR |
| 70+ | 4.38 EUR |
| 280+ | 4.15 EUR |
| 560+ | 3.84 EUR |
| 1050+ | 3.41 EUR |
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Technische Details IXTY1R4N120P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V.
Weitere Produktangebote IXTY1R4N120P
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IXTY1R4N120P | Hersteller : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IXTY1R4N120P | Hersteller : IXYS |
IXTY1R4N120P SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTY1R4N120P | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |