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IXTY44N10T-TRL

IXTY44N10T-TRL IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44n10t-datasheet?assetguid=6f632209-e987-45d8-bd19-71a9b1e1ecdc
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO252
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Technische Details IXTY44N10T-TRL IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; 100V; 44A; 130W; DPAK,TO252AA; 60ns, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Trench, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 44A, Power dissipation: 130W, Case: DPAK; TO252AA, Gate-source voltage: 30V, On-state resistance: 30mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 33nC, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 60ns, Application: automotive industry.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTY44N10T-TRL IXTY44N10T-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_44N10T_Datasheet.PDF MOSFET Modules IXTY44N10T TRL
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IXTY44N10T-TRL IXTY44N10T-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44n10t-datasheet?assetguid=6f632209-e987-45d8-bd19-71a9b1e1ecdc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; 100V; 44A; 130W; DPAK,TO252AA; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 60ns
Application: automotive industry
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IXTY44N10T-TRL
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; 100V; 44A; 130W; DPAK,TO252AA; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 60ns
Application: automotive industry
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