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IXTY48P05T

IXTY48P05T IXYS

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MOSFETs TrenchP Power MOSFET
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Technische Details IXTY48P05T IXYS

Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V.

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IXTY48P05T IXTY48P05T Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_48p05t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
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IXTY48P05T Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_48p05t_datasheet.pdf.pdf Транзистор польовий потужний P-Channel Uds=-50V; Id=-48A; Rds=0,030Ohm Ptot=150W TO-252-3
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IXTY48P05T IXTY48P05T Hersteller : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_48p05t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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IXTY48P05T Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_48p05t_datasheet.pdf.pdf IXTY48P05T SMD P channel transistors
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