Produkte > IXYS > IXXA30N65C3HV
IXXA30N65C3HV

IXXA30N65C3HV IXYS


Hersteller: IXYS
Description: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXXA30N65C3HV IXYS

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 52A; 230W; D2PAK, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 230W, Case: D2PAK, Mounting: SMD, Gate charge: 37nC, Kind of package: tube, Collector current: 52A, Collector-emitter voltage: 650V, Pulsed collector current: 113A, Gate-emitter voltage: ±20V.

Weitere Produktangebote IXXA30N65C3HV

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXXA30N65C3HV IXXA30N65C3HV IXYS IGBTs TO263 650V 30A XPT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXA30N65C3HV IXXA30N65C3HV IXYS Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 52A; 230W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Collector current: 52A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 113A
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXA30N65C3HV
IXXA30N65C3HV
Hersteller: IXYS
IGBTs TO263 650V 30A XPT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXA30N65C3HV
IXXA30N65C3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 52A; 230W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Collector current: 52A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 113A
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH