IXXH110N65C4 IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 236 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 7+ | 10.48 EUR |
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Technische Details IXXH110N65C4 IXYS
Description: IGBT PT 650V 234A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/143ns, Switching Energy: 2.3mJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 180 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 234 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A, Power - Max: 880 W.
Weitere Produktangebote IXXH110N65C4 nach Preis ab 10.48 EUR bis 20.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXXH110N65C4 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 880W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 167nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 110A Pulsed collector current: 600A Turn-on time: 71ns Turn-off time: 160ns Technology: GenX4™; Trench; XPT™ |
auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXXH110N65C4 | Hersteller : IXYS |
IGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXXH110N65C4 | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT PT 650V 234A TO-247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 35ns/143ns Switching Energy: 2.3mJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 234 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A Power - Max: 880 W |
auf Bestellung 596 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXXH110N65C4 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXXH110N65C4 - IGBT, 235 A, 2.06 V, 880 W, 650 V, TO-247AD, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 880 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 235 Bauform - Transistor: TO-247AD Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: XPT GenX4 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXXH110N65C4 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 234A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
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