Technische Details IXXH30N65B4D1 Littelfuse
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX4™; Trench; XPT™, Power dissipation: 230W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 52nC, Kind of package: tube, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector-emitter voltage: 650V, Turn-on time: 65ns, Turn-off time: 206ns, Pulsed collector current: 146A, Collector current: 30A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IXXH30N65B4D1
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IXXH30N65B4D1 | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 65ns Turn-off time: 206ns Pulsed collector current: 146A Collector current: 30A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXXH30N65B4D1 | Hersteller : IXYS |
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IXXH30N65B4D1 | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 65ns Turn-off time: 206ns Pulsed collector current: 146A Collector current: 30A |
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