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IXXH30N65B4D1

IXXH30N65B4D1 Littelfuse


ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh30n65b4d1_datasheet.pdf.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Technische Details IXXH30N65B4D1 Littelfuse

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX4™; Trench; XPT™, Power dissipation: 230W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 52nC, Kind of package: tube, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector-emitter voltage: 650V, Turn-on time: 65ns, Turn-off time: 206ns, Pulsed collector current: 146A, Collector current: 30A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXXH30N65B4D1 IXXH30N65B4D1 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA8E8CB7EEEB820&compId=IXXH30N65B4D1.pdf?ci_sign=c2ff94212e6ba280141b1eba1a8adcae86004281 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Pulsed collector current: 146A
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXH30N65B4D1 IXXH30N65B4D1 Hersteller : IXYS media-3319671.pdf IGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
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IXXH30N65B4D1 IXXH30N65B4D1 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA8E8CB7EEEB820&compId=IXXH30N65B4D1.pdf?ci_sign=c2ff94212e6ba280141b1eba1a8adcae86004281 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Pulsed collector current: 146A
Collector current: 30A
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