IXXH30N65C4D1 IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 161ns
Pulsed collector current: 136A
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details IXXH30N65C4D1 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX4™; Trench; XPT™, Power dissipation: 230W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 47nC, Kind of package: tube, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector-emitter voltage: 650V, Turn-on time: 65ns, Turn-off time: 161ns, Pulsed collector current: 136A, Collector current: 30A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Preis |
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Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 47nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 65ns Turn-off time: 161ns Pulsed collector current: 136A Collector current: 30A |
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