IXXK110N65B4H1 IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 19.1 EUR |
| 25+ | 18.88 EUR |
| 50+ | 18.38 EUR |
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Technische Details IXXK110N65B4H1 IXYS
Description: IGBT PT 650V 240A TO-264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A, Supplier Device Package: TO-264 (IXXK), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns, Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off), Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 183 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 240 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A, Power - Max: 880 W.
Weitere Produktangebote IXXK110N65B4H1 nach Preis ab 18.38 EUR bis 37.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IXXK110N65B4H1 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 880W Case: TO264 Mounting: THT Gate charge: 183nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 110A Pulsed collector current: 570A Turn-on time: 65ns Turn-off time: 250ns Technology: GenX4™; Trench; XPT™ |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXXK110N65B4H1 | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT PT 650V 240A TO-264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A Supplier Device Package: TO-264 (IXXK) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off) Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V Gate Charge: 183 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 240 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 630 A Power - Max: 880 W |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXXK110N65B4H1 | Hersteller : IXYS |
IGBTs 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
auf Bestellung 442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXXK110N65B4H1 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXXK110N65B4H1 - IGBT, 250 A, 1.72 V, 880 W, 650 V, TO-264, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.72V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 880W Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 250A SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXXK110N65B4H1 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 250A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
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