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Technische Details IXXK300N60B3 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 300A; 2.3kW; TO264, Mounting: THT, Collector-emitter voltage: 600V, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 300A, Pulsed collector current: 1.14kA, Turn-on time: 137ns, Turn-off time: 430ns, Type of transistor: IGBT, Case: TO264, Power dissipation: 2.3kW, Kind of package: tube, Gate charge: 460nC, Technology: GenX3™; Planar; XPT™, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IXXK300N60B3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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IXXK300N60B3 | Hersteller : IXYS |
 Description: IGBT 600V 550A 2300W TO264 |
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IXXK300N60B3 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 300A; 2.3kW; TO264 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 1.14kA Turn-on time: 137ns Turn-off time: 430ns Type of transistor: IGBT Case: TO264 Power dissipation: 2.3kW Kind of package: tube Gate charge: 460nC Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXXK300N60B3 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 300A; 2.3kW; TO264 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 1.14kA Turn-on time: 137ns Turn-off time: 430ns Type of transistor: IGBT Case: TO264 Power dissipation: 2.3kW Kind of package: tube Gate charge: 460nC Technology: GenX3™; Planar; XPT™ |
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