IXXN100N60B3H1 IXYS
Hersteller: IXYS
Description: IGBT MOD 600V 170A 500W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.86 nF @ 25 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 67.68 EUR |
| 10+ | 50.08 EUR |
| 100+ | 41.71 EUR |
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Technische Details IXXN100N60B3H1 IXYS
Description: IGBT MOD 600V 170A 500W SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, IGBT Type: PT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 170 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 500 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.86 nF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXXN100N60B3H1 | IXYS |
IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 w/Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXXN100N60B3H1 | IXYS |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 500W Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 500W Case: SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 440A Max. off-state voltage: 0.6kV Electrical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 98A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXXN100N60B3H1 | Littelfuse |
Trans IGBT Module N-CH 600V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXXN100N60B3H1 |
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Hersteller: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 w/Diode
IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 w/Diode
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| IXXN100N60B3H1 |
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Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 500W
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 440A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 500W
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 440A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
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| IXXN100N60B3H1 |
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Trans IGBT Module N-CH 600V
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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