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IXXX200N65B4

IXXX200N65B4 IXYS

littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxx200n65b4_datasheet.pdf.pdf Hersteller: IXYS
Description: IGBT 650V 370A 1150W PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 553 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A
Power - Max: 1150 W
auf Bestellung 531 Stücke:
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Anzahl Preis
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120+33.02 EUR
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Technische Details IXXX200N65B4 IXYS

Description: IGBT 650V 370A 1150W PLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A, Supplier Device Package: PLUS247™-3, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns, Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 553 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 370 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A, Power - Max: 1150 W.

Weitere Produktangebote IXXX200N65B4 nach Preis ab 51.09 EUR bis 60.47 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXXX200N65B4 IXXX200N65B4 Hersteller : IXYS media-3323144.pdf IGBTs 650V/370A Trench IGBT GenX4 XPT
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IXXX200N65B4 IXXX200N65B4 Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007912646-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXXX200N65B4 - IGBT, 480 A, 1.5 V, 1.63 kW, 650 V, PLUS247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.63kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 480A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15 Stücke:
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IXXX200N65B4 IXXX200N65B4 Hersteller : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxk200n65b4_datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 370A 1150000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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IXXX200N65B4 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxx200n65b4_datasheet.pdf.pdf IXXX200N65B4 THT IGBT transistors
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