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Technische Details IXYA20N65C3-TRL IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 230W; D2PAK, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 50A, Power dissipation: 230W, Case: D2PAK, Gate-emitter voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Pulsed collector current: 105A, Gate charge: 30nC.
Weitere Produktangebote IXYA20N65C3-TRL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXYA20N65C3-TRL | IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 230W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed collector current: 105A Gate charge: 30nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXYA20N65C3-TRL |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 230W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 105A
Gate charge: 30nC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 230W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 105A
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