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IXYA50N65C3

IXYA50N65C3 IXYS

DS100552C(IXYA-P-H50N65C3).pdf
Hersteller: IXYS
Description: IGBT 650V 130A 600W TO263
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Technische Details IXYA50N65C3 IXYS

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 50A, Power dissipation: 600W, Case: TO263-2, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 250A, Mounting: SMD, Gate charge: 86nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 56ns, Turn-off time: 145ns, Technology: GenX3™; Planar; XPT™.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXYA50N65C3 IXYA50N65C3 IXYS ixys_s_a0001273953_1-2272630.pdf IGBT Transistors 650V/130A XPT C3-Class TO-263
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IXYA50N65C3 IXYA50N65C3 IXYS IXY_50N65C3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
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IXYA50N65C3
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Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
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Technology: GenX3™; Planar; XPT™
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