Technische Details IXYA50N65C3 IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 50A, Power dissipation: 600W, Case: TO263-2, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 250A, Mounting: SMD, Gate charge: 86nC, Kind of package: tube, Technology: GenX3™; Planar; XPT™, Turn-on time: 56ns, Turn-off time: 145ns, Anzahl je Verpackung: 300 Stücke.
Weitere Produktangebote IXYA50N65C3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IXYA50N65C3 | Hersteller : Littelfuse |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 132A 600000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXYA50N65C3 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 600W Case: TO263-2 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Mounting: SMD Gate charge: 86nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Turn-on time: 56ns Turn-off time: 145ns Anzahl je Verpackung: 300 Stücke |
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IXYA50N65C3 | Hersteller : IXYS |
IGBT Transistors 650V/130A XPT C3-Class TO-263 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXYA50N65C3 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 600W Case: TO263-2 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Mounting: SMD Gate charge: 86nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Turn-on time: 56ns Turn-off time: 145ns |
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