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IXYA50N65C5

IXYA50N65C5 IXYS

Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA50N65C5_Datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
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Technische Details IXYA50N65C5 IXYS

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 650W; D2PAK, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 50A, Power dissipation: 650W, Case: D2PAK, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 240A, Mounting: SMD, Gate charge: 117nC, Kind of package: tube, Turn-off time: 170ns.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXYA50N65C5 IXYA50N65C5 IXYS Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTXYA50N65C5Datasheet.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 110A TO-263
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IXYA50N65C5 IXYA50N65C5 IXYS Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTXYA50N65C5Datasheet.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 650W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 650W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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Description: IGBT TRENCH FS 650V 110A TO-263
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Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 650W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 650W
Case: D2PAK
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Gate charge: 117nC
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