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IXYH10N170CV1

IXYH10N170CV1 IXYS

media-3319637.pdf Hersteller: IXYS
IGBT Transistors 1700V/10A XPT IGBT w/ Diode
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Technische Details IXYH10N170CV1 IXYS

Description: IGBT 1.7KV 36A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 160 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-247 (IXYH), Td (on/off) @ 25°C: 14ns/130ns, Switching Energy: 1.4mJ (on), 700µJ (off), Test Condition: 850V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 46 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 36 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A, Power - Max: 280 W.

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IXYH10N170CV1 IXYH10N170CV1 Hersteller : IXYS DS100784(IXYH10N170CV1)_.pdf Description: IGBT 1.7KV 36A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/130ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 850V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A
Power - Max: 280 W
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IXYH10N170CV1 IXYH10N170CV1 Hersteller : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh10n170cv1_datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXYH10N170CV1 IXYH10N170CV1 Hersteller : Littelfuse ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh10n170cv1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXYH10N170CV1 Hersteller : IXYS DS100784(IXYH10N170CV1)_.pdf IXYH10N170CV1 THT IGBT transistors
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