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IXYH120N65A5

IXYH120N65A5 LITTELFUSE

IXYH120N65A5.pdf
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXYH120N65A5 - IGBT, 290 A, 1.22 V, 830 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.22V
Verlustleistung: 830W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 290A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 60 Stücke:
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Technische Details IXYH120N65A5 LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXYH120N65A5 - IGBT, 290 A, 1.22 V, 830 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.22V, Verlustleistung: 830W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 290A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XPT GenX5 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXYH120N65A5 IXYH120N65A5 IXYS IXYH120N65A5.pdf Description: IGBT PT 650V 290A TO-247
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IXYH120N65A5 IXYH120N65A5 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh120n65a5_datasheet.pdf IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
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IXYH120N65A5 IXYS IXYH120N65A5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 830W; TO247-3
Collector current: 120A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 790A
Power dissipation: 830W
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
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IXYH120N65A5 Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh120n65a5_datasheet.pdf.pdf Extreme Light Punch Through IGBT
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IXYH120N65A5
Hersteller: IXYS
Description: IGBT PT 650V 290A TO-247
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Hersteller: IXYS
IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
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IXYH120N65A5 IXYH120N65A5.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 830W; TO247-3
Collector current: 120A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 790A
Power dissipation: 830W
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
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IXYH120N65A5 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh120n65a5_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: Littelfuse
Extreme Light Punch Through IGBT
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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