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IXYH120N65B3 IXYS

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Hersteller: IXYS
Description: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/168ns
Switching Energy: 1.34mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 760 A
Power - Max: 1360 W
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Technische Details IXYH120N65B3 IXYS

Description: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 28 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-247 (IXYH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/168ns, Switching Energy: 1.34mJ (on), 1.5mJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 250 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 340 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 760 A, Power - Max: 1360 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXYH120N65B3 IXYH120N65B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh120n65b3_datasheet.pdf IGBTs TO247 650V 120A GENX3
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Description: Transistor: IGBT; 650V; 1.36kW; TO247-3
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 760A
Power dissipation: 1.36kW
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 250nC
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IXYH120N65B3
Hersteller: IXYS
IGBTs TO247 650V 120A GENX3
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 1.36kW; TO247-3
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 760A
Power dissipation: 1.36kW
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 250nC
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