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IXYH30N65C3 IXYS
Hersteller: IXYS
Description: IGBT 650V 60A 270W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/75ns
Switching Energy: 1mJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
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Technische Details IXYH30N65C3 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX3™; Planar; XPT™, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 30A, Power dissipation: 270W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 118A, Mounting: THT, Gate charge: 44nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 59ns, Turn-off time: 0.12µs.
Weitere Produktangebote IXYH30N65C3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXYH30N65C3 | IXYS |
IGBTs TO247 650V 30A GENX3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXYH30N65C3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 270W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 118A Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Turn-on time: 59ns Turn-off time: 0.12µs |
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| IXYH30N65C3 |
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Hersteller: IXYS
IGBTs TO247 650V 30A GENX3
IGBTs TO247 650V 30A GENX3
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| IXYH30N65C3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 118A
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 118A
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
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