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IXYH40N120B4 IXYS


Hersteller: IXYS
Description: IGBT DISCRETE TO-247
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Technische Details IXYH40N120B4 IXYS

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 136A; 680W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 680W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 94nC, Kind of package: tube, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 136A, Pulsed collector current: 250A, Collector-emitter voltage: 1.2kV.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXYH40N120B4 IXYH40N120B4 IXYS media-3320992.pdf IGBT Transistors IGBT DISCRETE
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IXYH40N120B4 IXYS Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 136A; 680W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 680W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 136A
Pulsed collector current: 250A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
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Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 136A; 680W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 680W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
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Pulsed collector current: 250A
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