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IXYH40N90C3D1

IXYH40N90C3D1 IXYS

IXYH40N90C3D1.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 500W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
Gate charge: 74nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.47 EUR
8+9.19 EUR
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Technische Details IXYH40N90C3D1 IXYS

Description: IGBT 900V 90A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Td (on/off) @ 25°C: 27ns/78ns, Switching Energy: 1.9mJ (on), 1mJ (off), Test Condition: 450V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 74 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 500 W.

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IXYH40N90C3D1 IXYH40N90C3D1 Hersteller : IXYS IXYH40N90C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 500W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
Gate charge: 74nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IXYH40N90C3D1 IXYH40N90C3D1 Hersteller : IXYS media-3323865.pdf IGBTs XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
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120+10.56 EUR
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IXYH40N90C3D1 IXYH40N90C3D1 Hersteller : IXYS Description: IGBT 900V 90A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/78ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 450V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 74 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 500 W
auf Bestellung 133 Stücke:
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IXYH40N90C3D1 IXYH40N90C3D1 Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007910561-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXYH40N90C3D1 - IGBT, 90 A, 2.2 V, 500 W, 900 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 932 Stücke:
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IXYH40N90C3D1 Hersteller : IXYS/Littelfuse Транзистор IGBT; Uceb, В = 900; Ic = 90 А; Pmax, Вт = 500; Uce(on), В = 2,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-247AD
auf Bestellung 3 Stücke:
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10+6.39 EUR
100+5.62 EUR
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IXYH40N90C3D1 IXYH40N90C3D1 Hersteller : Littelfuse ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh40n90c3d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 90A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXYH40N90C3D1 IXYH40N90C3D1 Hersteller : Littelfuse ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh40n90c3d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 90A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXYH40N90C3D1 IXYH40N90C3D1 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 90A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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