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IXYH50N120C3D1

IXYH50N120C3D1 IXYS

media-3320967.pdf Hersteller: IXYS
IGBTs XPT 1200V IGBT GenX6 XPT IGBT
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Technische Details IXYH50N120C3D1 IXYS

Description: IGBT 1200V 90A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 195 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Td (on/off) @ 25°C: 28ns/133ns, Switching Energy: 3mJ (on), 1mJ (off), Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 142 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A, Power - Max: 625 W.

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IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3D1 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh50n120c3d1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1200V 90A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/133ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A
Power - Max: 625 W
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IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3D1 Hersteller : Ixys Corporation ttelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh50n120c3d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 90A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXYH50N120C3D1 IXYH50N120C3D1 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 90A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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