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IXYH75N65C3

IXYH75N65C3 IXYS

Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH75N65C3_Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
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Technische Details IXYH75N65C3 IXYS

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX3™; Planar; XPT™, Power dissipation: 750W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 123nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 90ns, Turn-off time: 179ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 75A, Collector-emitter voltage: 650V, Pulsed collector current: 360A.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXYH75N65C3 IXYH75N65C3 IXYS IXYH75N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 360A
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IXYH75N65C3 IXYH75N65C3.pdf
IXYH75N65C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 360A
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