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IXYH8N250CHV

IXYH8N250CHV IXYS

littelfuse-discrete-igbts-ixy-8n250chv-datasheet?assetguid=78ea8f5b-1880-4f0f-b0fa-520bc5357c4b
Hersteller: IXYS
Description: IGBT 2500V 29A TO-247HV
Power - Max: 280 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Part Status: Active
Gate Charge: 45 nC
Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns
Supplier Device Package: TO-247HV
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
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Technische Details IXYH8N250CHV IXYS

Description: IGBT 2500V 29A TO-247HV, Power - Max: 280 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V, Current - Collector (Ic) (Max): 29 A, Part Status: Active, Gate Charge: 45 nC, Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V, Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns, Supplier Device Package: TO-247HV, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A, Reverse Recovery Time (trr): 5 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3 Variant, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXYH8N250CHV IXYH8N250CHV IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_8N250CHV_Datasheet.PDF IGBTs TO263 2500V 8A XPT
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IXYH8N250CHV IXYH8N250CHV IXYS IXY_8N250CHV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 8A; 280W; TO247HV
Case: TO247HV
Mounting: THT
Power dissipation: 280W
Gate charge: 45nC
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 70A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 24ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 328ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 2.5kV
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IXYH8N250CHV IXYH8N250CHV Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_8n250chv_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXYH8N250CHV Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_8N250CHV_Datasheet.PDF
IXYH8N250CHV
Hersteller: IXYS
IGBTs TO263 2500V 8A XPT
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IXYH8N250CHV IXY_8N250CHV.pdf
IXYH8N250CHV
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 8A; 280W; TO247HV
Case: TO247HV
Mounting: THT
Power dissipation: 280W
Gate charge: 45nC
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 70A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 24ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 328ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 2.5kV
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IXYH8N250CHV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_8n250chv_datasheet.pdf.pdf
IXYH8N250CHV
Hersteller: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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