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Technische Details IXYN100N120C3 IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 152A 830W SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 152 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 830 W, Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXYN100N120C3 nach Preis ab 80.59 EUR bis 80.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXYN100N120C3 | Hersteller : IXYS |
 Description: IGBT MOD 1200V 152A 830W SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 152 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 830 W Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V |
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IXYN100N120C3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 152A 830000mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXYN100N120C3 | Hersteller : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 84A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 84A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 460A Power dissipation: 830W Technology: GenX3™; XPT™ Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYN100N120C3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 152A 830000mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXYN100N120C3 | Hersteller : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 84A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 84A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 460A Power dissipation: 830W Technology: GenX3™; XPT™ Mechanical mounting: screw |
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