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Technische Details IXYN110N120A4 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXYN110N120A4 - IGBT-Modul, Einfach, 275 A, 1.7 V, 830 W, 175 °C, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 275A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Schraubanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 830W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Bauform - Transistor: SOT-227, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 275A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 275A, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXYN110N120A4 nach Preis ab 39.70 EUR bis 59.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXYN110N120A4 | Hersteller : IXYS |
 Description: IGBT PT 1200V 275A SOT-227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 110A Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 42ns/550ns Switching Energy: 2.5mJ (on), 8.4mJ (off) Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V Gate Charge: 305 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 275 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 950 A Power - Max: 830 W |
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IXYN110N120A4 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXYN110N120A4 - IGBT-Modul, Einfach, 275 A, 1.7 V, 830 W, 175 °C, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 275A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 830W euEccn: NLR Verlustleistung: 830W Bauform - Transistor: SOT-227 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 275A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 275A SVHC: To Be Advised |
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