IXYP20N120C3 IXYS
Hersteller: IXYS
Description: IGBT 1200V 40A TO-220-3
Part Status: Active
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Supplier Device Package: TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 278 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 13.34 EUR |
| 50+ | 7.14 EUR |
| 100+ | 6.54 EUR |
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Technische Details IXYP20N120C3 IXYS
Description: IGBT 1200V 40A TO-220-3, Part Status: Active, Gate Charge: 53 nC, Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns, Supplier Device Package: TO-220-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Power - Max: 278 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A.
Weitere Produktangebote IXYP20N120C3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IXYP20N120C3 | IXYS/Littelfuse |
Транзистор IGBT, Uceb, В = 1 200, Ic = 40 А, tз, мс = 0,02, Р, Вт = 278, Тип монт. = Вивідний, td(off), нс = 90,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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| IXYP20N120C3 |
Транзистори |
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IXYP20N120C3 | IXYS |
IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT |
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IXYP20N120C3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 20A Power dissipation: 278W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 96A Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Turn-on time: 60ns Turn-off time: 200ns |
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| IXYP20N120C3 |
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Hersteller: IXYS/Littelfuse
Транзистор IGBT, Uceb, В = 1 200, Ic = 40 А, tз, мс = 0,02, Р, Вт = 278, Тип монт. = Вивідний, td(off), нс = 90,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Транзистор IGBT, Uceb, В = 1 200, Ic = 40 А, tз, мс = 0,02, Р, Вт = 278, Тип монт. = Вивідний, td(off), нс = 90,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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| IXYP20N120C3 |
|
Hersteller: IXYS
IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
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| IXYP20N120C3 |
|
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 200ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
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