IXYP60N65A5 IXYS
Hersteller: IXYS
Description: IGBT PT 650V 134A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
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Technische Details IXYP60N65A5 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXYP60N65A5 - IGBT, 134 A, 1.23 V, 395 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: TBA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.23, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.23, Verlustleistung Pd: 395, euEccn: NLR, Verlustleistung: 395, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: XPT GenX5 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 134, Betriebstemperatur, max.: 175, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 134, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote IXYP60N65A5 nach Preis ab 4.8 EUR bis 11.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXYP60N65A5 | Hersteller : IXYS |
IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220 |
auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXYP60N65A5 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXYP60N65A5 - IGBT, 134 A, 1.23 V, 395 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: TBA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.23 usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.23 Verlustleistung Pd: 395 euEccn: NLR Verlustleistung: 395 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: XPT GenX5 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 134 Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 134 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXYP60N65A5 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 134A; 395W; TO220-3 Mounting: THT Case: TO220-3 Kind of package: tube Gate charge: 128nC Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 395W Collector current: 134A Pulsed collector current: 260A Collector-emitter voltage: 650V Type of transistor: IGBT |
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