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Technische Details IXYP8N90C3D1 IXYS
Description: IGBT 900V 20A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 114 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: TO-220-3, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns, Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off), Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V, Gate Charge: 13.3 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A, Power - Max: 125 W.
Weitere Produktangebote IXYP8N90C3D1 nach Preis ab 3.63 EUR bis 5.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXYP8N90C3D1 | Hersteller : IXYS |
 IXYP8N90C3D1 THT IGBT transistors |
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IXYP8N90C3D1 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 900V 20A 125mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXYP8N90C3D1 | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT 900V 20A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 114 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 13.3 nC Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A Power - Max: 125 W |
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