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IXYX30N170CV1

IXYX30N170CV1 IXYS

ixys_s_a0003807147_1-2272642.pdf Hersteller: IXYS
IGBT Transistors 1700V/108A High Voltage XPT IGBT
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Technische Details IXYX30N170CV1 IXYS

Description: 1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 160 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns, Switching Energy: 5.9mJ (on), 3.3mJ (off), Test Condition: 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V, Gate Charge: 140 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 108 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 255 A, Power - Max: 937 W.

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IXYX30N170CV1 IXYX30N170CV1 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_30n170cv1_datasheet.pdf.pdf Description: 1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 5.9mJ (on), 3.3mJ (off)
Test Condition: 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 108 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 255 A
Power - Max: 937 W
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