IXYY8N90C3-TRL IXYS
Hersteller: IXYS
Description: IGBT PT 900V 20A TO-252AA
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Gate Charge: 13.3 nC
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-252AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 8A
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details IXYY8N90C3-TRL IXYS
Description: IGBT PT 900V 20A TO-252AA, Power - Max: 125 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Gate Charge: 13.3 nC, Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V, Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns, IGBT Type: PT, Supplier Device Package: TO-252AA, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 8A, Reverse Recovery Time (trr): 20 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXYY8N90C3-TRL | IXYS |
IGBTs IXYY8N90C3 TRL |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXYY8N90C3-TRL | IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 900V; 20A; 125W; DPAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 13.3nC Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 900V Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 48A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXYY8N90C3-TRL |
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Hersteller: IXYS
IGBTs IXYY8N90C3 TRL
IGBTs IXYY8N90C3 TRL
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXYY8N90C3-TRL |
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Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 900V; 20A; 125W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 900V; 20A; 125W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
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Im Einkaufswagen
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