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Technische Details IXYY8N90C3 IXYS
Description: IGBT 900V 20A 125W C3 TO-252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: TO-252AA, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns, Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off), Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V, Gate Charge: 13.3 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A, Power - Max: 125 W.
Weitere Produktangebote IXYY8N90C3 nach Preis ab 2.35 EUR bis 3.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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IXYY8N90C3 | Hersteller : Littelfuse |
 Trans IGBT Chip N-CH 900V 20A 125000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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| IXYY8N90C3 | Hersteller : IXYS |
IXYY8N90C3 SMD IGBT transistors |
auf Bestellung 356 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXYY8N90C3 | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT 900V 20A 125W C3 TO-252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A Supplier Device Package: TO-252AA Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 13.3 nC Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A Power - Max: 125 W |
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