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J112

J112 ON Semiconductor

mmbfj113-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details J112 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - J112 - JFET-Transistor, -35 V, -5 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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J112 J112 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8B7D2AD995F5EA&compId=J111.pdf?ci_sign=23158dcca2e47f7ef2d19b8846e159bbca0e7d3b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Case: TO92
Gate current: 50mA
Drain current: 5mA
On-state resistance: 50Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate-source voltage: -35V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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168+0.43 EUR
254+0.28 EUR
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Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Case: TO92
Gate current: 50mA
Drain current: 5mA
On-state resistance: 50Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate-source voltage: -35V
Mounting: THT
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Mindestbestellmenge: 112
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J112 J112 Hersteller : onsemi / Fairchild MMBFJ113-D.PDF JFETs NFET/S TO-92
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J112 J112 Hersteller : onsemi MMBFJ113-D.PDF Description: JFET N-CH 35V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Power - Max: 625 mW
Resistance - RDS(On): 50 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
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Anzahl Preis
24+0.76 EUR
34+0.53 EUR
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1000+0.21 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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J112 J112 Hersteller : InterFET jfet_j111_j112_j113a_interfet-2887724.pdf JFETs JFET N-Channel -35V Low Noise
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1+7.66 EUR
10+6.42 EUR
50+5.46 EUR
100+4.82 EUR
500+4.29 EUR
1000+3.66 EUR
2500+3.54 EUR
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J112 J112 Hersteller : ONSEMI MMBFJ113-D.PDF Description: ONSEMI - J112 - JFET-Transistor, -35 V, -5 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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J112 J112 Hersteller : ON Semiconductor mmbfj113-d.pdf Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bag
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J112 Hersteller : Vishay / Siliconix MMBFJ113-D.PDF JFETs 55V 5mA
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J-1 1/2 Hersteller : Caplugs Conduit Fittings & Accessories J-1 1/2 PE-LD01 BLU003 MICRO
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