J112 FS


MMBFJ113-D.PDF
Produktcode: 26850
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Hersteller: FS
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: -35 V
Drain-Strom Idd, A: 0,05 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 50 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 28/-
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
J112 J112 ON Semiconductor mmbfj113-d.pdf Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bag
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J112 J112 onsemi / Fairchild 3A8ED3485EFB4775BCAA4CCEB78A401223D6DDD525E9BD16C7422CA5885F022A.pdf JFETs 5 mA, 35 V, N-Channel JFET Transistor
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J112 J112 onsemi MMBFJ113-D.PDF JFETs NFET/S TO-92
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J112 J112 onsemi MMBFJ113-D.PDF Description: JFET N-CH 35V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Power - Max: 625 mW
Resistance - RDS(On): 50 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
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21+1.02 EUR
34+0.63 EUR
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J112 J112 ONSEMI 3360937.pdf Description: ONSEMI - J112 - JFET-Transistor, -35 V, -5 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V
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211+1.19 EUR
334+0.69 EUR
676+0.32 EUR
788+0.27 EUR
1000+0.26 EUR
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J112 J112 InterFET jfet-j111-j112-j113a-interfet.pdf JFETs JFET N-Channel -35V Low Noise
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10+8.38 EUR
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500+5.19 EUR
1000+4.84 EUR
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J112 J112 ON Semiconductor mmbfj113-d.pdf Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bag
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J112 J112 ONSEMI J111.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
On-state resistance: 50Ω
Mounting: THT
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -35V
Kind of package: bulk
Case: TO92
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167+0.51 EUR
204+0.42 EUR
233+0.37 EUR
334+0.25 EUR
358+0.24 EUR
374+0.23 EUR
439+0.19 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bag
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 5605 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bag
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 427 Stücke:
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313+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 313 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 427 Stücke:
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313+0.55 EUR
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J112 3A8ED3485EFB4775BCAA4CCEB78A401223D6DDD525E9BD16C7422CA5885F022A.pdf
Hersteller: onsemi / Fairchild
JFETs 5 mA, 35 V, N-Channel JFET Transistor
auf Bestellung 17612 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4+0.88 EUR
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5000+0.2 EUR
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J112 MMBFJ113-D.PDF
Hersteller: onsemi
JFETs NFET/S TO-92
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10+0.64 EUR
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J112 MMBFJ113-D.PDF
Hersteller: onsemi
Description: JFET N-CH 35V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Power - Max: 625 mW
Resistance - RDS(On): 50 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
auf Bestellung 7215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+1.02 EUR
34+0.63 EUR
100+0.4 EUR
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1000+0.27 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J112 3360937.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - J112 - JFET-Transistor, -35 V, -5 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V
auf Bestellung 9665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
211+1.19 EUR
334+0.69 EUR
676+0.32 EUR
788+0.27 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J112 jfet-j111-j112-j113a-interfet.pdf
Hersteller: InterFET
JFETs JFET N-Channel -35V Low Noise
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.78 EUR
10+8.38 EUR
100+6.22 EUR
500+5.19 EUR
1000+4.84 EUR
2500+4.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J112 mmbfj113-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 6835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J112 J111.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
On-state resistance: 50Ω
Mounting: THT
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Drain current: 5mA
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -35V
Kind of package: bulk
Case: TO92
auf Bestellung 3843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
167+0.51 EUR
204+0.42 EUR
233+0.37 EUR
334+0.25 EUR
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BF245A
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BF245A-D.PDF
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: -30 V
Drain-Strom Idd, A: 0,006 A
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: THT
auf Bestellung: 312 St.
  • 312 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+0.5 EUR
10+0.42 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK30A
Produktcode: 42734
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Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: -50 V
Drain-Strom Idd, A: 0,01 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 8.2/
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: THT
auf Bestellung: 44 St.
  • 44 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.6 EUR
10+0.45 EUR
100+0.37 EUR
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2SK117
Produktcode: 54021
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 В
Drain-Strom Idd, A: 0,5 А
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 13/
Montage: THT
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet 25.07.2026
auf Bestellung: 39 St.
  • 39 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.86 EUR
10+0.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 MOhm 1% 0,25W bedrahtet (MFR025FTB-1MR – Hitano)
Produktcode: 110537
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mfr_series-hitano-datasheet.pdf
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 1 МОм
Toleranz: ±1%
Nennleistung, W: 0,25 Вт
Betriebsspannung, V: 250 В
Abmessungen: 6x2.3 mm; Dlead=0.55 mm
Typ: Metallschicht
auf Bestellung: 9932 St.
  • 9932 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.039 EUR
100+0.031 EUR
1000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4,7nF 50V X7R K(+/-10%) (R15W472K1HH5-L-Hitano)
Produktcode: 19324
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multilayer_ceramic_capacitorsepoxxyy.pdf
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 4,7 nF
Nennspannung: 50 V
TKE (Dielektrikum): X7R
Toleranz: ±10% K
Rastermaß: 5,08 mm
Part Number: R15W472K1HH5-L
UKTZED: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 9333 St.
  • 9333 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.11 EUR
100+0.094 EUR
1000+0.082 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH