2SK30A Toshiba
Produktcode: 42734
1
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Toshiba
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: -50 V
Drain-Strom Idd, A: 0,01A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 8.2/
Bemerkung: N-Kanal-Sperrschicht-FET (JFET)
Montage: THT
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SK30A |
auf Bestellung 2387 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| 2SK30A-GR | TOSHIBA | 09+ TSSOP |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SK30A-GR |
Hersteller: TOSHIBA
09+ TSSOP
09+ TSSOP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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| BF245A Produktcode: 25235
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Lieblingsprodukt
|
 |
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: -30 V
Drain-Strom Idd, A: 0,006 A
Bemerkung: N-Kanal-Sperrschicht-FET (JFET)
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: -30 V
Drain-Strom Idd, A: 0,006 A
Bemerkung: N-Kanal-Sperrschicht-FET (JFET)
Montage: THT
auf Bestellung 325 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.5 EUR |
| 10+ | 0.35 EUR |
| BF245C Produktcode: 181181
3
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: -30 V
Drain-Strom Idd, A: 0,025 A
Bemerkung: N-Kanal-Sperrschicht-FET (JFET)
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: -30 V
Drain-Strom Idd, A: 0,025 A
Bemerkung: N-Kanal-Sperrschicht-FET (JFET)
Montage: THT
verfügbar: 355 St.
- 29 St. - stock Köln
- 326 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| J112 Produktcode: 26850
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: FS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: -35 V
Drain-Strom Idd, A: 0,05 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 50 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 28/-
Bemerkung: N-Kanal-Sperrschicht-FET (JFET)
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: -35 V
Drain-Strom Idd, A: 0,05 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 50 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 28/-
Bemerkung: N-Kanal-Sperrschicht-FET (JFET)
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.13 EUR |
| 10+ | 0.11 EUR |
| 100+ | 0.093 EUR |
| 2SA970 Produktcode: 32412
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz
Spannung Uce, V: 120 V
Spannung Ucb, V: 120 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 700
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz
Spannung Uce, V: 120 V
Spannung Ucb, V: 120 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 700
verfügbar: 527 St.
- 160 St. - stock Köln
- 367 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.24 EUR |
| 10+ | 0.21 EUR |
| 1 GOhm 5% 0,25W 300V 0805 (HMR0805JR-1GR – Hitano) Produktcode: 112345
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 1 GOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,25 W
U Betrieb, V: 300 V
Bauform: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 1 GOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,25 W
U Betrieb, V: 300 V
Bauform: 0805
auf Bestellung 2136 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)