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J113

J113 ON Semiconductor

mmbfj113-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details J113 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - J113 - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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J113 J113
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J113 J113 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013775431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - J113 - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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J113
Produktcode: 164008
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J113 J113 Hersteller : onsemi / Fairchild mmbfj113-d.pdf JFETs N-Channel Switch
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J113 J113 Hersteller : onsemi mmbfj113-d.pdf Description: JFET N-CH 35V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Power - Max: 625 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V
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J113 Hersteller : ONS mmbfj113-d.pdf Транз. Пол. ММ N-FET TO-92 Vds=-35V, Id=20 mA, Rds=100Ohm
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J113 Hersteller : ONSEMI mmbfj113-d.pdf J113-ONS THT N channel transistors
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