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JAN1N5419

JAN1N5419 Microchip / Microsemi

LDS_0231_1N5415_thru_1N5420_MIL_PRF_19500_411.pdf
Hersteller: Microchip / Microsemi
Rectifiers 550V 3A UFR,FRR THT
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Technische Details JAN1N5419 Microchip / Microsemi

Description: DIODE STANDARD 500V 3A B AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V, Qualification: MIL-PRF-19500/411.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
JAN1N5419 MICROSEMI LDS-0231%2C+1N5415+thru+1N5420%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf B/VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5419
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JAN1N5419 JAN1N5419 Microchip Technology LDS-0231%2C+1N5415+thru+1N5420%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf Description: DIODE STANDARD 500V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V
Qualification: MIL-PRF-19500/411
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Hersteller: MICROSEMI
B/VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5419
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Description: DIODE STANDARD 500V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
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Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
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Grade: Military
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Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V
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