JAN1N5553US/TR Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A D-5B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-5B
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, E
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details JAN1N5553US/TR Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A D-5B, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: D-5B, Current - Average Rectified (Io): 3A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SQ-MELF, E, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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JAN1N5553US/TR | Microchip / Microsemi |
 Rectifiers Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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Hersteller: Microchip / Microsemi
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Im Einkaufswagen
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