JAN1N5616US Microchip / Microsemi
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Technische Details JAN1N5616US Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| JAN1N5616US | Microsemi |
 Rectifier Diode Switching 400V 1A 2000ns 2-Pin A-MELF Bag |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| JAN1N5616US |
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Hersteller: Microsemi
Rectifier Diode Switching 400V 1A 2000ns 2-Pin A-MELF Bag
Rectifier Diode Switching 400V 1A 2000ns 2-Pin A-MELF Bag
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