JAN1N5618US/TR Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A
Grade: Military
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: D-5A
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: MIL-PRF-19500/427
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
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Technische Details JAN1N5618US/TR Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A, Grade: Military, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Supplier Device Package: D-5A, Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SQ-MELF, A, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: MIL-PRF-19500/427, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN1N5618US/TR | Microchip / Microsemi |
 Rectifiers 600V 1A Std Rectifier SQ SMT TR |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JAN1N5618US/TR |
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Hersteller: Microchip / Microsemi
Rectifiers 600V 1A Std Rectifier SQ SMT TR
Rectifiers 600V 1A Std Rectifier SQ SMT TR
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH