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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 13.32 EUR |
| 10+ | 12.02 EUR |
| 100+ | 9.96 EUR |
| 500+ | 8.99 EUR |
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Technische Details JAN1N5619 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 27pF @ 5V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V.
Weitere Produktangebote JAN1N5619
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN1N5619 | Hersteller : MICROSEMI |
A/FAST RECOVERY GLASS RECTIFIER (100-500NS) 1N5619 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| JAN1N5619 | Hersteller : Semtech |
MIL 1A STANDARD RECT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| JAN1N5619 | Hersteller : Semtech Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 27pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V |
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