JAN1N6172A MICROSEMI

G/VOIDLESS HERMETICALLY -SEALED BIDIRECTIONNAL TRANSIENT SUPPRESSORS JAN1N6172
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Technische Details JAN1N6172A MICROSEMI
Description: TVS DIODE 136.8VWM 245.7VC AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: G, Axial, Mounting Type: Through Hole, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.1A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 136.8V, Supplier Device Package: C, Axial, Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 171V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 245.7V, Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW), Power Line Protection: No, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/516.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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JAN1N6172A | Hersteller : Semtech |
![]() Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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JAN1N6172A | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: G, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.1A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 136.8V Supplier Device Package: C, Axial Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 171V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 245.7V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/516 |
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JAN1N6172A | Hersteller : Semtech |
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