JAN2N2905 Microchip / Microsemi
Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 94.03 EUR |
| 10+ | 76.17 EUR |
| 25+ | 70.03 EUR |
| 100+ | 67.94 EUR |
| 250+ | 67.93 EUR |
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Technische Details JAN2N2905 Microchip / Microsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 800 mW, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/290.
Weitere Produktangebote JAN2N2905
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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JAN2N2905 | Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 800 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/290 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
JAN2N2905 | Semicoa Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
JAN2N2905 | Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JAN2N2905 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 800 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/290
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 800 mW
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/290
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Stück im Wert von UAH
| JAN2N2905 |
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Hersteller: Semicoa Semiconductors
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39
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Stück im Wert von UAH
| JAN2N2905 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
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