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JAN2N2906A

JAN2N2906A Microchip / Microsemi

2N2906A_2N2907A_MIL_PRF_19500_291.pdf
Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT
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Technische Details JAN2N2906A Microchip / Microsemi

Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18, Grade: Military, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-18, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Packaging: Bulk, Qualification: MIL-PRF-19500/291, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
JAN2N2906A MIL-PRF-19500_291Y_wAmendment1_7-10-19.pdf
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