JAN2N3019S Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/391
| Anzahl | Privatkunde |
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Technische Details JAN2N3019S Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 800 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/391.
Weitere Produktangebote JAN2N3019S nach Preis ab 28.05 EUR bis 30.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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| JAN2N3019S | Microchip / Microsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| JAN2N3019S |
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Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 30.2 EUR |
| 250+ | 28.05 EUR |