JAN2N3250A Microchip Technology


8919-lds-0093-datasheet
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.2A TO39
Qualification: MIL-PRF-19500/323
Grade: Military
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
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Technische Details JAN2N3250A Microchip Technology

Description: TRANS PNP 60V 0.2A TO39, Qualification: MIL-PRF-19500/323, Grade: Military, Power - Max: 360 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
JAN2N3250A Microchip Technology msco_s_a0002835881_1-2275588.pdf Bipolar Transistors - BJT BJTs
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